IBM un Samsung inženieri izveido vertikālus VTFET, kas var palielināt jaudu vai samazināt enerģijas patēriņu
Nesen notikušajā IDEM konferencē Sanfrancisko, ASV, IBM un Samsung pārstāvji iepazīstināja sabiedrību ar savu jauno izstrādi, kas nozīmē tranzistoru vertikālu izvietojumu čipsi.
Šo tehnoloģiju sauc par vertikālo transporta lauka efektu tranzistoru (VTFET), kas padara to iespējamu vai ievērojami palielina jaudu vai ievērojami samazināt mikroshēmas enerģijas patēriņu, salīdzinot ar parastajām tās pašas mikroshēmām Izmērs.
Jaunā attīstība un tās perspektīvas
Kā zināms, veidojot modernus procesorus un mikroshēmas, tranzistori tiek uzklāti uz silīcija paliktņa horizontālā plaknē. VTFET tehnoloģija paredz to vertikālo izvietojumu. Un, pēc pašu izstrādātāju domām, šai pieejai vienlaikus ir divas būtiskas priekšrocības.
Tātad VTFET izmantošanas dēļ ir iespējams apiet daudzus esošos ierobežojumus Mūra likuma darbības dēļ.
Uzziņai. Saskaņā ar Mūra likumu kopējais tranzistoru skaits, kas tiek ievietots integrālās shēmas mikroshēmā, dubultojas ik pēc diviem gadiem.
Un arī pateicoties jauna dizaina izmantošanai, elektriskos zudumus var ievērojami samazināt, izmantojot efektīvāku enerģijas plūsmas novirzīšanu.
Tātad, pēc speciālistu aprēķiniem, šī pieeja ļaus izveidot jaunas mikroshēmas, kas būs vai vismaz divas reizes lielākas efektīvi esošie analogi vai patērēs par 85% mazāk enerģijas nekā analogi, kas tiek izstrādāti, izmantojot šo tehnoloģiju FinFET.
Nākotnē eksperti uzskata, ka mikroshēmas, kas ražotas, izmantojot VTFET tehnoloģiju, ļaus ražot, piemēram, mobilos tālruņus, kas darbosies ar vienu akumulatora uzlādi līdz vienai nedēļai un/vai viegli veikt enerģiju patērējošas darbības, piemēram, veikt kriptominēšanu ar samazinātu patēriņu enerģiju.
Pagaidām nav zināms, kad šādas mikroshēmas tiks pilnībā izmantotas mūsdienu elektroniskajās ierīcēs. Tāpēc mēs sekosim šīs tehnoloģijas attīstībai nākotnē.
Ja jums patika materiāls, neaizmirstiet abonēt kanālu un paldies par uzmanību!